Tokyo (Antara Kalbar) Salah satu anak perusahaan Toshiba (TOKYO:6502), Toshiba
Storage & Device Solutions Company, hari ini mengumumkan peluncuran
N-channel power MOSFET super junction 600V/650V dengan performa EMI
yang disempurnakan untuk penggunaan pada peralatan industri dan
perkantoran. Lini produk DTMOS V series akan meliputi 12 produk. Sampel
produk ini akan mulai dikirimkan pada hari ini, sedangkan pengiriman
produksi massal dijadwalkan pada pertengahan Maret.
Lini produk terbaru ini tetap memiliki tingkat low-on resistance dan performa switching berkecepatan tinggi yang serupa dengan DTMOS IV series Toshiba yang sudah ada terlebih dahulu, akan tetapi memiliki performa EMI yang lebih baik hingga sekitar 3 hingga 5dB[1]. Selain itu, dengan memangkas performa on-resistance per area (RON x A) memungkinkan untuk menambah produk 650V 0.29� ke dalam lini kemasan DPAK. Lini produk ini ideal untuk penggunaan pada perangkat catu daya industri dan perkantoran yang membutuhkan efisiensi tinggi dan ukuran yang ringkas, adaptor dan pengisi daya laptop dan perangkat telekomunikasi, dan PC dan printer.
Lini produk dan spesifikasi utama MOSFET terbaru: Nomor bagian Kemasan Nilai absolut maksimal RDS(ON) MAX.
@VGS=10V Qg Typ.
@VDD=400V VGS=10V ID=Nilai maksimal Ciss Typ.
@VDS=300V VGS=0V f=100kHz VDSS (V) ID (A) TK290A60Y TO-220SIS 600 11.5 0.29 25 730 TK380A60Y TO-220SIS 600 9.7 0.38 20 590 TK560A60Y TO-220SIS 600 7.0 0.56 14.5 380 TK290P60Y DPAK 600 11.5 0.29 25 730 TK380P60Y DPAK 600 9.7 0.38 20 590 TK560P60Y DPAK 600 7.0 0.56 14.5 380 TK290A65Y TO-220SIS 650 11.5 0.29 25 730 TK380A65Y TO-220SIS 650 9.7 0.38 20 590 TK560A65Y TO-220SIS 650 7.0 0.56 14.5 380 TK290P65Y DPAK 650 11.5 0.29 25 730 TK380P65Y DPAK 650 9.7 0.38 20 590 TK560P65Y DPAK 650 7.0 0.56 14.5 380 Catatan [1] Pada 150 hingga 210MHz dengan menggunakan papan evaluasi Toshiba. Survey Toshiba
COPYRIGHT © ANTARA News Kalimantan Barat 2017
Lini produk terbaru ini tetap memiliki tingkat low-on resistance dan performa switching berkecepatan tinggi yang serupa dengan DTMOS IV series Toshiba yang sudah ada terlebih dahulu, akan tetapi memiliki performa EMI yang lebih baik hingga sekitar 3 hingga 5dB[1]. Selain itu, dengan memangkas performa on-resistance per area (RON x A) memungkinkan untuk menambah produk 650V 0.29� ke dalam lini kemasan DPAK. Lini produk ini ideal untuk penggunaan pada perangkat catu daya industri dan perkantoran yang membutuhkan efisiensi tinggi dan ukuran yang ringkas, adaptor dan pengisi daya laptop dan perangkat telekomunikasi, dan PC dan printer.
Lini produk dan spesifikasi utama MOSFET terbaru: Nomor bagian Kemasan Nilai absolut maksimal RDS(ON) MAX.
@VGS=10V Qg Typ.
@VDD=400V VGS=10V ID=Nilai maksimal Ciss Typ.
@VDS=300V VGS=0V f=100kHz VDSS (V) ID (A) TK290A60Y TO-220SIS 600 11.5 0.29 25 730 TK380A60Y TO-220SIS 600 9.7 0.38 20 590 TK560A60Y TO-220SIS 600 7.0 0.56 14.5 380 TK290P60Y DPAK 600 11.5 0.29 25 730 TK380P60Y DPAK 600 9.7 0.38 20 590 TK560P60Y DPAK 600 7.0 0.56 14.5 380 TK290A65Y TO-220SIS 650 11.5 0.29 25 730 TK380A65Y TO-220SIS 650 9.7 0.38 20 590 TK560A65Y TO-220SIS 650 7.0 0.56 14.5 380 TK290P65Y DPAK 650 11.5 0.29 25 730 TK380P65Y DPAK 650 9.7 0.38 20 590 TK560P65Y DPAK 650 7.0 0.56 14.5 380 Catatan [1] Pada 150 hingga 210MHz dengan menggunakan papan evaluasi Toshiba. Survey Toshiba
Editor : Admin Antarakalbar
COPYRIGHT © ANTARA News Kalimantan Barat 2017